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Thin Film Measurement system Nanocalc based on spectral reflectometry available for nearly all microscope types

Thin Film Measurement system Nanocalc based on spectral reflectometry available for nearly all microscope types

Mikroskopische Dünnschichtmessung Nanocalc Schichtdickenmesssystem, spektrale Reflektometrie. Mit einem C-Mount Adapter ist es möglich, die Standard Fasersonde an ein nahezu beliebiges Mikroskop mit C-Mount Kameraanschluss zu adaptieren
 
Art.No.:NanoCalc-MS


The NanoCalc thin film measurement system can be adapted to every microscope.  The measurement is based on the analysis of the reflection signal which is modulated by interferences of thin films. Robust and highly precise measurement method. The adaptation of the NanoCalc-2000 layer thickness measuring system to a microscope allows the reduction of the measuring spot size to only about 4 µm diameter, depending on the microscope magnification.
Das NanoCalc Schichtdickenmess-System kann an jedes Mikroskop adaptiert werden. Gemessen wird durch spektrale Auswertung des Reflektionssignals, das durch Interferenzen an dünnen Schichten moduliert ist. Robuste und hoch präzise Messmethode! Die Adaption des NanoCalc-2000 Schichtdickenmessgerätes an ein Mikroskop erlaubt die Reduzierung der Messspotgröße auf nur ca. 4 µm Durchmesser, je nach verwendeter Mikroskopvergrößerung.
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With the help of the fibre optics reflectometer from our partner company Mikropack, layers from 10 nm up to several hundred microns of thickness are measured. The only conditions are for the layers to be at least partially transparent for light and for layer and substrate to have different refraction indexes.

The fibre-optic measuring system with no moving parts is particularly suitable for integration into machines, to adapt to almost any microscope and for supervising processes in situ.

A large available spectral range from 250nm (UV) to 1100nm (NIR) combined with the specific evaluation algorithms allow for the measurement of standard optical coatings such as oxides, nitrides, ITO and photoresists not only on ideal substrates such as silicon wafer or glass, but also on critical layers such as DLC (Diamond like Carbon) on metals, coatings on unpolished steel sheet or thin film measurements.
 
 
 
 
Mit dem faseroptischen Reflektometer unseres Kooperationspartners Firma Mikropack werden Schichten von 10 nm bis zu einigen hundert Mikrometern Dicke gemessen. Voraussetzung ist nur, dass die Schichten für Licht zumindest teiltransparent sind und sich die Brechzahl von Schicht und Substrat unterscheidet.

Das Faser-optische Messsystem ohne bewegliche Teile eignet sich besonders gut zur Integration in vorhandene Maschinen, zur Adaption an ein nahezu beliebiges Mikroskop und zur In-Situ Prozesskontrolle.

Ein großer verfügbarer Spektralbereich von 250nm (UV) bis 1100nm (NIR), sowie die speziellen Auswertealgorithmen erlauben nicht nur die Messung von optischen Standardschichten wie Oxide, Nitride, ITO und Fotolacke auf Ideal-Substraten wie Silizium-Wafer oder Glass, sondern auch kritische Schichten wie DLC (Diamond like Carbon) auf Metallen, Schichten auf unpoliertem Stahlblech oder auch Foliendicken.

 

Field of applications:
  • Measurement of dielectric layers on wafers or glass
    (SiO2, Si3N4, photoresist, ITO, ...)
  • Very thin metal layers on wafers or glass (Ag, Al, Au, Ti, ...)
  • SOI silicon thickness measurement (Silicon On Isolator)
  • Thickness measuring of thinned silicon wafers (<120 µm)
  • Measuring the thickness of Si membranes (<120 µm)
  • Photoresist layer thickness distribution on semiconductor reticles
  • DVD/CD coatings
  • Lens coatings (anti-scratch and anti-reflection layers)
  • DLC (Diamond Like Carbon) hardening layers
  • Film thickness
  • Air gap between reticle and wafer in exposure systems
  • Very thick photoresists in the field of micromechanics (100 micron to about 250 microns)
  • Theoretical layer simulation
  • Measurement of multiple layers
  • 3D profile thickness measurement
Anwendungsbereiche
  • Messung von dielektrischen Schichten auf Wafern oder Glas
    (SiO2, Si3N4, Fotolack, ITO, ...)
  • sehr dünne metallische Schichten auf Wafern oder Glas (Ag, Al, Au, Ti, ...)
  • SOI Siliziumdicken-Messung (Silicon On Isolator) 
  • Dickenmessung von gedünntem Siliziumwafer (<120 µm)
  •  Dickenmessung von Si Membranen (<120 µm)
  • Fotolack-Schichtdickenverteilung auf Halbleitermaske
  • DVD/CD Beschichtungen
  • Linsenbeschichtungen (Antikratz- und Antireflexions-Schichten)
  • DLC (Diamond Like Carbon) Härtungsschichten
  • Foliendicken
  • Luftspalt zwischen Maske und Wafer bei Belichtungsanlagen
  • sehr dicke Fotolacke im Bereich der Mikromechanik
    (100 µm bis ca. 250 µm)
  • theoretische Schichtsimulation
  • Messung von Mehrfachschichten
  • 3D-Dickenprofilermittlung
Advantages of measurements with a microscope:
  • Exact positioning of the measuring position and also visual inspection and assessment of the specimen's surface.
  • Allows for reliable measurement on the smallest measuring points on structured specimens
  • Easy and accurate focusing, even with different specimen thicknesses
  • The very small measuring spot will give enough of an interference signal to allow for thickness measurement on even very rough-textured or inhomogeneous specimens.
Vorteile bei Messungen mit dem Mikroskop:
  • exakte Positionierung der Messposition und zudem visuelle Kontrolle und Beurteilung der Proben-Oberfläche.
  • ermöglicht eine zuverlässige Messung auf kleinsten Messstellen auf strukturierten Proben
  • einfache und genaue Fokussierung auch bei unterschiedlichen Probendicken
  • auf sehr rauhen oder inhomogenen Proben erlaubt erst der sehr kleine Messspot ein für die Schichtdickenmessung ausreichendes Interferenzsignal.

Informationen zum Kompelett-System

 

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