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Microscopic MEMS inspection in infrared and visible spectrum

Microscopic MEMS inspection in infrared and visible spectrum

MEMS comprise microscopic mechanical devices, sensors and electrical circuits combined on a chip. MEMS Inspection requires advanced microscopy features in infrared and visible spectral range.
 
Art.No.:app_MEMS_Insp

 
ProMicron
24 Bachmühlweg
74366 Kirchheim /Neckar

Telephone: +49 7143 - 40560
Fax: +49 7143 - 405629
Email: info@promicron.de

                                      visible and-ir illumination comparison.jpg
 
                                                     VIS Illumination                              IR Illumination
Silicon is transparent to IR light above 1100 nm. Therfore IR technology is capable of detecting critical defects in MEMS production process. Additionally, infrared microscopy aids detectionof internal particles and measurement of production-related structures within two glued wafers.
 
Inspection of eutectic or fusion-bonded wafers, inspection of glass-sealing breakings, detection of the smallest details such as bubbles and breakings, detection of delamination and eutectic bonding failures.

We provide a non-contact, optical, fast, full wafer scan with highest resolution.

Detect voids in SOI wafers and delaminations in the adhesive layer of bonded wafers.

Inspect phenomena between two silicon substrates, which are not visible from the outside.

Check deep narrow trenches and areas invisible to the naked eye. The IR light passes silicon trench structures and generates image contrast based on reflections from interface layers. Details of the trench can be inspected even in deep trench structures.

Infrared microscopy, Infrared transmitted light and reflected light inspection, NIR camera, NIR objectives, sealed wafer, inspection of internal structures.

Infrared illumination with transmitted light and reflected light

Identification of wafers via barcode, data-matrix-code, OCR

Combination of visible and infrared illumination

Infrared overlay alignment measurements

Defect review in infrared mode

IR microscopy after wafer bonding

Near-infrared (NIR) is a non-destructive method to detect faults on and beneath the surface. Detection of particles (contamination), measurement of alignment marks, buried structures, etch lines and voids

Measurements at multiple focus levels through the wafer provide details about the bond interface (i.e. thickness uniformity)

Focus series with measurements and inspection at multiple focus levels.

Scalable systems

Measurement of buried structures

Inspection of bonded wafers

Silicon cavern and silicon membrane measurement and inspection

The confocal capability of the microscope allows thin optical sectioning in Z-axis and calculation of 3D images

Silicium ist transparent für Licht oberhalb 1100 nm. Dank der IR-Technologie sind wir in der Lage, kritische Defekte im MEMS Produktionsprozess auszumachen. Zusätzlich ermöglicht die Infrarot-Mikroskopie verborgene Partikel zu entdecken und die Vermessung von produktionsbedingten Strukturen innerhalb zweier gebondeter Wafer.
 
Inspektion von eutektischen oder durch Fusion gebondeten Wafern, Inspektion von Glasverbindungen, erkennen von kleinsten Details wie Blasen oder Bruchstellen, entdecken von Delaminierungen und Fehlern in eutektischen Bondverbindungen.
 
Wir ermöglichen einen berührungslosen, schnellen Scan ganzer Wafer in höchster Auflösung.
 
Wir entdecken Hohlräume in SOI Wafern und Delaminierungen der geklebten Schichten von gebondeten Wafern.
 
Wir inspizieren Phänomene zwischen zwei Silikon-Schichtträgern, die äußerlich nicht sichtbar sind. Das IR-Licht durchdringt Silicon Trench Strukturen und generiert Bild Kontraste aufgrund von Reflektionen der Zwischenschichten. Details des Trenchs können auch in tiefen Trench Strukturen inspiziert werden.

Infrarotbeleuchtung im Durch- und Auflicht

Identifizierung der Wafer per Barcode, Data-Matrix-Code, OCR..

Kombination von sichtbarer und infraroter Beleuchtung.

Infrarot Overlay Ausrichtungsmessungen

Defect Review im Infrarot Modus

IR Mikroskopie nach Wafer Bonding

Inspektion von deep Trenches,  messen von Unterätzung / Überätzungen 

Nahes Infrarot (NIR) ist eine zerstörungsfreie Methode um Fehler auf und unter der Oberfläche zu entdecken. Erkennung von Partikeln (Kontamination), Messung von Ausrichtungsmarken, verborgene Strukturen, Ätzlinien und Fehlstellen.

Messungen auf mehreren Fokus- Ebenen durch den Wafer hindurch liefern Details über die Verbindungsstellen (z.B. Dickengleichmäßigkeit).

Serienaufnahmen für Messungen und Inspektion auf mehreren Fokus Ebenen.

Unsere Systeme sind skalierbar, so dass sie genau das bekommen was für Ihre Anwendung notwendig ist.

Messung verborgener Strukturen

Inspektion gebondeter Wafer

Silikon Kavernen und Silikon Membranen Messung und Inspektion

Das Konfokalmodul der Mikroskope ermöglicht dünne optische Sektionierungen der Z-Achse und Berechnung von 3D Bildern

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                                  VIS Illumination                             IR Illumination
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